Silvermont坐阵 Bay Trail来袭
电流通过率越高、漏电率越低，则处理器的功耗越低、性能越好、能效就越高。但是随着制造工艺的进步，晶体管之间的间隔越来越小，从当初的130nm到现在的22nm，势必导致漏电流增大，过多的漏电率直接令处理器的功耗和发热难以控制——在这种背景下，Intel推出了3D晶体管技术。22nm制造工艺下的3D Tri-Gate三栅极晶体管使用三维硅鳍片取代传统晶体管的平面栅极，它工作时让以往只能在平面上通过的电流可以三个方向通过，增大了电流通过率；关闭时由于不再受硅基电压影响，因此能够更好地控制漏电。此外，3D晶体管的开关速度更快，工作电压也不需要平面晶体管那么高——工艺上的创新让采用22nm 3D晶体管技术的处理器可向两个方面发展：与之前产品保持相同工作电压的话，由于效率提升，则性能将更强；保持与之前产品相同性能的话，由于只需要更低的工作电压，那么功耗将更低。让首个采用该技术的Ivy Bridge处理器来证明这一点吧：相对于SNB来说，移动版IVB处理器在保持相同功耗的前提下
<<上一页 下一页>>
广州市越秀区图书馆版权所有。
联系电话：020-87673002
本站访问人数：