“全芯”里程 一步一个脚印
态随机存储技术（DRAM）和快闪存储技术（Flash）。近些年来，又研发出了相变存储技术。相变存储技术是目前世界上最先进的存储技术，该项技术目前只有三星、美光及时代全芯拥有。宁波时代全芯科技是目前中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，并将该技术落户在宁波鄞州工业园区的企业。打破了韩美在该技术领域的相关垄断，已获得全球57项专利。相变存储器利用材料相变产生不同的特性作资料存储，存储容量远远大于高端硬盘，预计2025年市场规模可与当前半导体市场相当。与现有传统芯片相比，相变存储器执行速度要快1000倍，耐久性多1万倍，相变存储将比现在所有的半导体器件有着更大的影响力，应用更广泛。目前，相变存储的时代已经来临，它是未来30年相关产品的关键器件。它具有极其优越的存储性能，不仅可凭借现有半导体工厂或晶圆厂十分之一的制造成本来生产；而且还可以替代作为当今信息世界的基本要素的硬盘驱动器和多种现有的存储器芯片作为未来独占性的
<<上一页 下一页>>
广州市越秀区图书馆版权所有。
联系电话：020-87673002
本站访问人数：