一种基于斩波调制的带隙基准电压源
了克服trimming技术的缺点，本文使用了斩波技术来消除Vos的影响，斩波技术[5-8]的思想是通过调制和解调，将低频的噪声和Vos调制到高频处，然后再经过低通滤波器来消除它们的影响。本文设计了一种使用斩波调制技术的CMOS带隙基准电路来消除器件失配对基准电压源输出精度的影响。1 带隙基准源的工作原理带隙基准电压通过一个与绝对温度成反比（CTAT）电压和一个与绝对温度成正比（PTAT）电压按照一定的比例相加得到的。由于双极型晶体管的VBE是一个近似CTAT电压，我们可以考虑用它来做带隙基准电路，我们知道，如果两个双极晶体管工作在不同的电流密度下，那么他们的基极-发射极电压的差值是一个PTAT电压[9]。带隙基准基本原理是利用VT的正温度系数和双极型晶体管VBE的负温度系数相互抵消，从而获得一个与温度无关的基准电压。传统的带隙基准电路[10]如图1所示，双极型晶体管Q3 、Q4和Q6是在标准 CMOS 工艺中寄生的纵向 PNP 管。通过运算放大器 U1形成的负反馈，使得节点VA和VB的电压相等，从
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