一种新型低压上电复位电路设计
着集成电路工艺的进步，芯片的工作电压越来越低，对POR的性能要求也更高，传统的POR电路越来越难以满足如今的需求[2-5]。本文通过对传统POR的研究，基于0.18 μm设计了一种低压低功耗的上电复位电路，该电路结构也适用于更小特征尺寸的CMOS工艺[8-10]。1 POR电路介绍图1（a）所示为传统的片外POR电路，其主要由电阻、电容和二极管构成，电路的时间延迟由RC决定，当电源下电时，反向二极管对电容放电。这种电路的主要缺点是依赖电源的上电速度，在电源的上电速度较慢时，POR电路可能无法正常工作。图1（b）为传统的片上集成POR电路，检测电压由NMOS和PMOS的阈值电压决定，当电源电压高于检测电压时，电流镜对电容充电，当充电电压高于触发器阈值时，电路复位。这种电路的缺点是在电源电压低于阈值电压时，电路也有充电电流存在，会减小电路的延迟时间；其次，管子的阈值电压受工艺、温度影响较大，再计入电源电压的影响，这种电路延迟时间的离散度会非常大。图2所示的POR电路由带隙基
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