石墨烯技术：薄膜影像传感器

在穿透这些层的过程中，损失较大，尤其是在通过“深井式”的布线层传达至硅光电二极管时，会造成光线在入射角和传导方面均出现不小的损失。虽然背照式CMOS将布线层转移至光电二极管下方，减小了“深井”所造成的光线损失，但受制于硅半导体材料特性的限制，也仅能提升一倍左右的感光性能。
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