13%Google搜索被指不务a正业等

艺研发中心在22nm关键工艺技术先导研究与平台建设上实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22nm栅长MOSFETs，而且器件性能良好。这一研究采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际
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