一种新型低压上电复位电路设计
UF1打开，M9开始对MOS电容Mc充电，当Vc大于T1的阈值电压时，T1输出复位信号。从VDD达到Vdet到T1输出复位信号的时间延迟TD由Ids9、Mc电容和T1阈值电压决定。在电路下电时，POR的工作过程是上电时的逆过程，由INV1、T7、T8构成的迟滞比较器使得下电检测电压低于上电检测值，其回差电压的大小可以通过改变M7的尺寸调整。当电源电压小于下电检测值时，Vs变为低电平，Vc节点通过BUF1迅速放电到0。由于Vc放电速度远高于充电速度，该POR在上电的时候，即使出现由电源噪声导致检测电路反复触发的现象，Vc依然会保持低电平，这极大的提高了电路对噪声的抗干扰能力。3 电路仿真为了模拟POR电路在电源上电时间为1 ms时的工作情况，做不同corner组合的仿真。主要corner的仿真结果如图4所示，仿真数据如表1所列。上电检测电压Vdet由于依赖于NMOS的阈值，随工艺变化较大，仿真结果清晰地表明了这点。表1 仿真仿真设置 Vdet TDMOS（tt），Res（tt），1.8 V，27 1.01 V 193 msMOS（ss），Res（ff），1.98 V，125 1.22 V 145 msMOS（ff），Res
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