一种新型低压上电复位电路设计
（ss），1.68 V，-45 754 mV 232 ms典型工作条件下，Vdet和TD的蒙特卡洛仿真结果如图5和图6所示，其方差分别为25.76 mV和2.72 ms。图4 主要corner仿真图5 上电检测电压蒙特卡洛仿真图6 TD蒙特卡洛仿真4 结 语本文基于0.18 mm工艺设计了一种适用于低电源电压IC的可集成上电复位电路，该POR具有电源上电和掉电检测能力，对电源的上电速度和噪声不敏感，电路总功耗约9 mW。所有corner的仿真结果表明，该电路可实现大于100 ms的延时，蒙特卡洛仿真显示该电路受工艺批次和器件失配影响较小。参 考 文 献[1]张俊安，陈良，杨毓军，等.一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路[J].微电子学，2012，42（2）：238 – 241.[2] YASUDA T， YAMAMOTO M， NISHI T. A power-on reset pulse generator for low voltage applications [C]// IEEE International Symposium on Circuits and Systems. [S.l.]： IEEE， 2006（ 4）： 599-601.[3] LAI Xin-quan， YU Wei-xue， LI Gang， et al. A low quiescent current and reset time adjustable power-on reset circuit [C]// ASICON 2005 6th International Conference On ASIC. Shanghai， China： ASICON
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